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2.专利:

25

陈朗,马晓姿,袁国亮,一种压电陶瓷及其制备方法

申请号:202010404240.3

24

袁国亮,朱逸,高文秀,一种ABO3型柔性可拉伸单晶薄膜及其制备方法

申请号:202010368441.2

23

曹博,汪尧进,袁国亮,一种耐高温的柔性磁电传感器及其制备方法

申请号:202010366784.5

22

曾寿信,赵泽恩,袁国亮,一种铅位掺杂MAFAPbI3单晶薄膜材料及其制备方法

申请号:202010368474.7

21

吕兴杰,赵泽恩,袁国亮,铁电氧化物与MAxFA1-xPbI3 0-3复合的薄膜材料

申请号:202010366737.0

20

杨晨,谢忠帅,袁国亮,ITO玻璃/BiVO4纳米棒@Bi2FeCrO6/纳米粒子催化材料及其制备方法

申请号:202010368445.0

19

施佳峰,汪尧进,袁国亮,一种用于光-力协同催化的压电纳米片材料及其制备方法

申请号:202010366740.2

18

朱逸,吕兴杰,袁国亮,一种张应变可逆动态调控的MAxFA1-xPbI3单晶薄膜及其制备方法

申请号:202010285495.2

17

袁国亮,万磊,赵泽恩,马晓姿,一种CsPbBr3铁电单晶薄膜及通过拉伸应变诱导其发生顺电-铁电相变的方法 

申请号:202010341325.1

16

赵泽恩,曹博,袁国亮,一种大面积弹性CsPbBr3单晶薄膜材料及其制备方法

申请号:202010285496.7

15

陈朗,马晓姿,袁国亮,一种压电材料及其制备方法以及一种多层致动器及其制备方法

申请号:201910682484.5

14

袁国亮,谢忠帅,苏留帅 ,无机柔性全透明钙钛矿氧化物压控变容管及其制备方法

申请号:201810697031

13

张伟飞,袁国亮,穆罕默德·阿德南·凯瑟,一种复合高温压电陶瓷材料

专利号:201710357002.X

12

高焕,苏留帅, 袁国亮,一种透明柔性氧化物铁电存储器

专利号:201710333577.8

11

谢忠帅,杨玉玺,马赫,袁国亮,一种柔性耐高温BaTi1-xCoxO3阻变存储器

专利号:201611120850.0

10

郑鹏,艾哈迈德 侯赛因,张伟飞,徐玉青,袁国亮,复合高温压电陶瓷材料及其制备方法

申请号:201610904233

9

徐玉青,袁国亮,杨玉玺 ,马赫 ,刘治国,一种具有铁电和半导体光伏效应的双层钙钛矿薄膜

专利号:201510753796.2

8

袁国亮,马赫,常磊,高文秀,一种铁电薄膜及其溶液浸泡生长方法

专利号:201310671979.0

7

骆溁,陈江鹏,马赫,袁国亮,刘治国,一种掺杂铁酸铋半导体薄膜材料及其制备方法

专利号:201310223929.6

6

邵思龙,陈江鹏,袁国亮,何伟基,陈饯,高透射率的钒基多层超晶格薄膜及其制备方法

专利号:201210127760.X

5

袁国亮,王海洋,骆溁,马赫, 一种自清洁喷涂液制造及使用方法

专利号:201210514852.3  

4

袁国亮,徐锋,杜宇雷,陈光,在微米级颗粒上通过磁控溅射镀易氧化薄膜的方法

专利号:201010557401.9

3

陈孝敏, 刘璐,袁国亮,一种单相铁电薄膜、制备方法及有效电阻调控方法

专利号:201010559251.5

2

王海洋,孙晨,袁国亮,低温制备碳化硅非晶薄膜及外延薄膜的方法

专利号:201010559109.0

1

袁国亮,刘俊明,王一平,刘治国, 一种磁电耦合陶瓷材料及其制备方法

专利号:200410064900.9

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